電導(dǎo)率-塞貝克系數(shù)掃描探針顯微鏡

電導(dǎo)率-塞貝克系數(shù)掃描探針顯微鏡

系統(tǒng)組成部分

1、三矢量軸定位平臺(tái)及其控制器

2、熱量克測(cè)量的測(cè)溫探針

3、接觸探測(cè)系統(tǒng)

4、模擬多路器

5、數(shù)字電壓表

6、鎖相放大器
7、攝像探頭

8、帶有控制軟件和 GPIB 總線的計(jì)算機(jī)

9、樣品架

主要技術(shù)參數(shù)

  位置單向定位精度： 1 μm
  位置雙向定位精度： 3 μm
  zui大掃描區(qū)域：       150 mm × 50 mm
  局部測(cè)量精度：       10 μm (與該區(qū)域的熱傳導(dǎo)有關(guān))
  信號(hào)測(cè)量精度：       100 nV

  測(cè)量結(jié)果重復(fù)性：    優(yōu)于3%
  誤差
  塞貝克系數(shù)：          < 3% (半導(dǎo)體)
                               < 5% (金屬)
  電導(dǎo)率：                < 5% (半導(dǎo)體)
                               < 8% (金屬)

 電導(dǎo)率-塞貝克系數(shù)掃描探針顯微鏡

應(yīng)用領(lǐng)域

測(cè)量速度：            測(cè)量一個(gè)點(diǎn)的時(shí)間小于4秒

  1、熱電材料，超導(dǎo)材料，燃料電池，導(dǎo)電陶瓷以及半導(dǎo)體材料的均勻度測(cè)量

2、測(cè)量功能梯度材料的梯度

3、觀察功能梯度材料的梯度效應(yīng)

4、監(jiān)測(cè) NTC/PTC 材料的電阻漂移

5、導(dǎo)電固體中的傳導(dǎo)損耗

6、陰極材料的電導(dǎo)率損耗

7、GMR 材料峰值溫度的降低，電阻率的變化

8、樣品的質(zhì)量監(jiān)控

技術(shù)由德國(guó) Panco 公司和德國(guó)宇航中心公共研制開發(fā)，點(diǎn)擊資料下載按鈕下載說明手冊(cè)。

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